Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

IRS21271STRPBF
Infineon Technologies

IRS21271STRPBF

جزء الأسهم: 54889

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR25606STRPBF
Infineon Technologies

IR25606STRPBF

جزء الأسهم: 125208

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS2008STRPBF
Infineon Technologies

IRS2008STRPBF

جزء الأسهم: 149768

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR7184SPBF
Infineon Technologies

IR7184SPBF

جزء الأسهم: 51790

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IRS4428STRPBF
Infineon Technologies

IRS4428STRPBF

جزء الأسهم: 96540

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR25601STRPBF
Infineon Technologies

IR25601STRPBF

جزء الأسهم: 150280

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
IR7106STRPBF
Infineon Technologies

IR7106STRPBF

جزء الأسهم: 127611

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS10752LTRPBF
Infineon Technologies

IRS10752LTRPBF

جزء الأسهم: 102757

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IR2101STRPBF
Infineon Technologies

IR2101STRPBF

جزء الأسهم: 82202

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS21531DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS21531DSTRPBF

جزء الأسهم: 118962

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.4V,

قائمة الرغبات
IRS20752LTRPBF
Infineon Technologies

IRS20752LTRPBF

جزء الأسهم: 181799

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IRS2101STRPBF
Infineon Technologies

IRS2101STRPBF

جزء الأسهم: 107287

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2308STRPBF
Infineon Technologies

IRS2308STRPBF

جزء الأسهم: 58960

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2104STRPBF
Infineon Technologies

IRS2104STRPBF

جزء الأسهم: 105739

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR25603STRPBF
Infineon Technologies

IR25603STRPBF

جزء الأسهم: 110198

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V,

قائمة الرغبات
IRS4426SPBF
Infineon Technologies

IRS4426SPBF

جزء الأسهم: 46439

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR44272LTRPBF
Infineon Technologies

IR44272LTRPBF

جزء الأسهم: 148608

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IRS2005STRPBF
Infineon Technologies

IRS2005STRPBF

جزء الأسهم: 140809

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2304STRPBF
Infineon Technologies

IRS2304STRPBF

جزء الأسهم: 132108

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.3V,

قائمة الرغبات
IR2106STRPBF
Infineon Technologies

IR2106STRPBF

جزء الأسهم: 82196

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IR11662STRPBF
Infineon Technologies

IR11662STRPBF

جزء الأسهم: 91654

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 11.4V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2V, 2.15V,

قائمة الرغبات
IRS2302SPBF
Infineon Technologies

IRS2302SPBF

جزء الأسهم: 54388

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2127STRPBF
Infineon Technologies

IRS2127STRPBF

جزء الأسهم: 86596

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR7184STRPBF
Infineon Technologies

IR7184STRPBF

جزء الأسهم: 95878

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IR7106SPBF
Infineon Technologies

IR7106SPBF

جزء الأسهم: 63805

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

قائمة الرغبات
IR25602SPBF
Infineon Technologies

IR25602SPBF

جزء الأسهم: 79336

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS2003STRPBF
Infineon Technologies

IRS2003STRPBF

جزء الأسهم: 187044

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR3537MTRPBF
Infineon Technologies

IR3537MTRPBF

جزء الأسهم: 160950

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
IR25604STRPBF
Infineon Technologies

IR25604STRPBF

جزء الأسهم: 127530

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS2186STRPBF
Infineon Technologies

IRS2186STRPBF

جزء الأسهم: 59074

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2153DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2153DSTRPBF

جزء الأسهم: 116068

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.4V,

قائمة الرغبات
IRS44273LTRPBF
Infineon Technologies

IRS44273LTRPBF

جزء الأسهم: 183838

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.2V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR25600STRPBF
Infineon Technologies

IR25600STRPBF

جزء الأسهم: 108166

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IR2104STRPBF
Infineon Technologies

IR2104STRPBF

جزء الأسهم: 98689

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS21271SPBF
Infineon Technologies

IRS21271SPBF

جزء الأسهم: 29602

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR44273LTRPBF
Infineon Technologies

IR44273LTRPBF

جزء الأسهم: 148610

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.7V,

قائمة الرغبات