Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

IRS21864STRPBF
Infineon Technologies

IRS21864STRPBF

جزء الأسهم: 53980

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR25600PBF
Infineon Technologies

IR25600PBF

جزء الأسهم: 87482

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IRS2118SPBF
Infineon Technologies

IRS2118SPBF

جزء الأسهم: 37562

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IR21094STRPBF
Infineon Technologies

IR21094STRPBF

جزء الأسهم: 60201

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS21814SPBF
Infineon Technologies

IRS21814SPBF

جزء الأسهم: 26971

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR2106PBF
Infineon Technologies

IR2106PBF

جزء الأسهم: 34741

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS4427PBF
Infineon Technologies

IRS4427PBF

جزء الأسهم: 35223

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2103SPBF
Infineon Technologies

IRS2103SPBF

جزء الأسهم: 44929

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR1169STRPBF
Infineon Technologies

IR1169STRPBF

جزء الأسهم: 75241

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 11V ~ 19V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2V, 2.25V,

قائمة الرغبات
IRS21091SPBF
Infineon Technologies

IRS21091SPBF

جزء الأسهم: 38622

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR21271STRPBF
Infineon Technologies

IR21271STRPBF

جزء الأسهم: 51103

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS2109PBF
Infineon Technologies

IRS2109PBF

جزء الأسهم: 52694

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21091STRPBF
Infineon Technologies

IRS21091STRPBF

جزء الأسهم: 71537

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR21064STRPBF
Infineon Technologies

IR21064STRPBF

جزء الأسهم: 58018

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IR21814STRPBF
Infineon Technologies

IR21814STRPBF

جزء الأسهم: 46019

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IR2117STRPBF
Infineon Technologies

IR2117STRPBF

جزء الأسهم: 65802

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IRS2304SPBF
Infineon Technologies

IRS2304SPBF

جزء الأسهم: 55951

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.3V,

قائمة الرغبات
IRS2118STRPBF
Infineon Technologies

IRS2118STRPBF

جزء الأسهم: 69509

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IRS2004SPBF
Infineon Technologies

IRS2004SPBF

جزء الأسهم: 79643

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR2109STRPBF
Infineon Technologies

IR2109STRPBF

جزء الأسهم: 68510

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS24531DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS24531DSTRPBF

جزء الأسهم: 68560

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4.7V, 9.3V,

قائمة الرغبات
IR2128STRPBF
Infineon Technologies

IR2128STRPBF

جزء الأسهم: 51331

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS2111STRPBF
Infineon Technologies

IRS2111STRPBF

جزء الأسهم: 83630

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 8.3V, 12.6V,

قائمة الرغبات
IRS2005SPBF
Infineon Technologies

IRS2005SPBF

جزء الأسهم: 102534

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2001MTRPBF
Infineon Technologies

IRS2001MTRPBF

جزء الأسهم: 89706

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2453DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2453DSTRPBF

جزء الأسهم: 83118

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4.7V, 9.3V,

قائمة الرغبات
IR2127STRPBF
Infineon Technologies

IR2127STRPBF

جزء الأسهم: 50620

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS2184STRPBF
Infineon Technologies

IRS2184STRPBF

جزء الأسهم: 86584

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21844STRPBF
Infineon Technologies

IRS21844STRPBF

جزء الأسهم: 64089

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2113MTRPBF
Infineon Technologies

IRS2113MTRPBF

جزء الأسهم: 67618

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IRS2104PBF
Infineon Technologies

IRS2104PBF

جزء الأسهم: 45260

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2108SPBF
Infineon Technologies

IRS2108SPBF

جزء الأسهم: 44436

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2004PBF
Infineon Technologies

IRS2004PBF

جزء الأسهم: 49224

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS44262STRPBF
Infineon Technologies

IRS44262STRPBF

جزء الأسهم: 85089

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 11.2V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2108STRPBF
Infineon Technologies

IRS2108STRPBF

جزء الأسهم: 82241

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2890DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2890DSTRPBF

جزء الأسهم: 99309

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات