Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

IRS2301SPBF
Infineon Technologies

IRS2301SPBF

جزء الأسهم: 46995

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2117SPBF
Infineon Technologies

IRS2117SPBF

جزء الأسهم: 41862

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IR2111SPBF
Infineon Technologies

IR2111SPBF

جزء الأسهم: 28229

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 8.3V, 12.6V,

قائمة الرغبات
IR2304PBF
Infineon Technologies

IR2304PBF

جزء الأسهم: 37567

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
IR21271PBF
Infineon Technologies

IR21271PBF

جزء الأسهم: 25155

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IR2118PBF
Infineon Technologies

IR2118PBF

جزء الأسهم: 28202

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IRS2336DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2336DSTRPBF

جزء الأسهم: 27053

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR4427SPBF
Infineon Technologies

IR4427SPBF

جزء الأسهم: 37643

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IR2136STRPBF
Infineon Technologies

IR2136STRPBF

جزء الأسهم: 39685

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IR2108SPBF
Infineon Technologies

IR2108SPBF

جزء الأسهم: 28200

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IR21271SPBF
Infineon Technologies

IR21271SPBF

جزء الأسهم: 25632

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS21084SPBF
Infineon Technologies

IRS21084SPBF

جزء الأسهم: 28972

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2011PBF
Infineon Technologies

IRS2011PBF

جزء الأسهم: 28242

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IR2301SPBF
Infineon Technologies

IR2301SPBF

جزء الأسهم: 25894

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS23365DMTRPBF
Infineon Technologies

IRS23365DMTRPBF

جزء الأسهم: 40748

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21084PBF
Infineon Technologies

IRS21084PBF

جزء الأسهم: 52197

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21834PBF
Infineon Technologies

IRS21834PBF

جزء الأسهم: 37511

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2112SPBF
Infineon Technologies

IRS2112SPBF

جزء الأسهم: 32291

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IRS2453DSPBF
Infineon Technologies

IRS2453DSPBF

جزء الأسهم: 37961

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4.7V, 9.3V,

قائمة الرغبات
IR2118SPBF
Infineon Technologies

IR2118SPBF

جزء الأسهم: 28183

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IRS21864SPBF
Infineon Technologies

IRS21864SPBF

جزء الأسهم: 27101

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2181SPBF
Infineon Technologies

IRS2181SPBF

جزء الأسهم: 25359

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR4426SPBF
Infineon Technologies

IR4426SPBF

جزء الأسهم: 29086

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IRS2183PBF
Infineon Technologies

IRS2183PBF

جزء الأسهم: 22984

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR2103SPBF
Infineon Technologies

IR2103SPBF

جزء الأسهم: 45206

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS2127PBF
Infineon Technologies

IRS2127PBF

جزء الأسهم: 38434

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR2112STRPBF
Infineon Technologies

IR2112STRPBF

جزء الأسهم: 42082

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات
IR21814SPBF
Infineon Technologies

IR21814SPBF

جزء الأسهم: 23077

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IRS2106PBF
Infineon Technologies

IRS2106PBF

جزء الأسهم: 34774

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR25604SPBF
Infineon Technologies

IR25604SPBF

جزء الأسهم: 54276

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات
IRS2334MTRPBF
Infineon Technologies

IRS2334MTRPBF

جزء الأسهم: 27967

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2106SPBF
Infineon Technologies

IRS2106SPBF

جزء الأسهم: 37564

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21834STRPBF
Infineon Technologies

IRS21834STRPBF

جزء الأسهم: 46812

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR2184STRPBF
Infineon Technologies

IR2184STRPBF

جزء الأسهم: 43937

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IRS2003PBF
Infineon Technologies

IRS2003PBF

جزء الأسهم: 53072

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2113SPBF
Infineon Technologies

IRS2113SPBF

جزء الأسهم: 25154

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات