Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IRFU7440PBF
Infineon Technologies

IRFU7440PBF

جزء الأسهم: 42650

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLB8314PBF
Infineon Technologies

IRLB8314PBF

جزء الأسهم: 68466

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 68A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP034NE7N3GXKSA1

جزء الأسهم: 23187

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL8113PBF
Infineon Technologies

IRL8113PBF

جزء الأسهم: 41003

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies

IPSA70R1K2P7SAKMA1

جزء الأسهم: 2796

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 900mA, 10V,

قائمة الرغبات
IRL60S216
Infineon Technologies

IRL60S216

جزء الأسهم: 18402

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.95 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPAW60R190CEXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R190CEXKSA1

جزء الأسهم: 56438

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R750P7XKSA1

جزء الأسهم: 39823

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA057N06N3GXKSA1

جزء الأسهم: 2064

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP530N15N3GXKSA1

جزء الأسهم: 2849

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF3315PBF
Infineon Technologies

IRF3315PBF

جزء الأسهم: 38844

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA075N15N3GXKSA1

جزء الأسهم: 3045

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 43A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 43A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP100N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N08S2L07AKSA1

جزء الأسهم: 52683

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF530NSTRLPBF
Infineon Technologies

IRF530NSTRLPBF

جزء الأسهم: 128633

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R170CFD7XKSA1

جزء الأسهم: 3037

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLB3036PBF
Infineon Technologies

IRLB3036PBF

جزء الأسهم: 17506

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP086N10N3GXKSA1

جزء الأسهم: 38790

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V,

قائمة الرغبات
SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW11N80C3FKSA1

جزء الأسهم: 1610

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW65R065C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW65R065C7XKSA1

جزء الأسهم: 10290

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 17.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF300P227
Infineon Technologies

IRF300P227

جزء الأسهم: 10886

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF135B203
Infineon Technologies

IRF135B203

جزء الأسهم: 23939

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 135V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 129A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 77A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI60R125CPXKSA1
Infineon Technologies

IPI60R125CPXKSA1

جزء الأسهم: 11826

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies

IPP90R340C3XKSA1

جزء الأسهم: 11890

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 340 mOhm @ 9.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R080CFDAFKSA1

جزء الأسهم: 6140

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 43.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 17.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP076N12N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP076N12N3GXKSA1

جزء الأسهم: 2056

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 120V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.6 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP250MPBF
Infineon Technologies

IRFP250MPBF

جزء الأسهم: 36997

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFI4510GPBF
Infineon Technologies

IRFI4510GPBF

جزء الأسهم: 35793

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF1010EZSTRLP
Infineon Technologies

IRF1010EZSTRLP

جزء الأسهم: 88038

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V,

قائمة الرغبات
IPAW60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R360P7SXKSA1

جزء الأسهم: 55490

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 360 mOhm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF1407PBF
Infineon Technologies

IRF1407PBF

جزء الأسهم: 31387

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.8 mOhm @ 78A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R280P7XKSA1

جزء الأسهم: 31589

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R090CFD7XKSA1

جزء الأسهم: 2131

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 11.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP126N10N3GXKSA1

جزء الأسهم: 49483

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.3 mOhm @ 46A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R125C6FKSA1

جزء الأسهم: 3548

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB23N15DPBF
Infineon Technologies

IRFB23N15DPBF

جزء الأسهم: 39026

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF200P223
Infineon Technologies

IRF200P223

جزء الأسهم: 10451

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.5 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات