Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R190E6XKSA1

جزء الأسهم: 22907

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI120N06S402AKSA2
Infineon Technologies

IPI120N06S402AKSA2

جزء الأسهم: 48418

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPZA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R180P7XKSA1

جزء الأسهم: 1306

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 5.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R400CEXKSA1

جزء الأسهم: 53935

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW55N80C3FKSA1

جزء الأسهم: 4868

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 54.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 32.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPI045N10N3GXKSA1

جزء الأسهم: 1374

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW16N50C3FKSA1

جزء الأسهم: 1221

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 560V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS3306PBF
Infineon Technologies

IRFS3306PBF

جزء الأسهم: 27199

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF4104PBF
Infineon Technologies

IRF4104PBF

جزء الأسهم: 41415

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP023N04NGXKSA1

جزء الأسهم: 37393

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R037P7XKSA1

جزء الأسهم: 433

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 76A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 29.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R1K2P7XKSA1

جزء الأسهم: 44199

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R190C7XKSA1

جزء الأسهم: 21681

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 5.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R180C7XKSA1

جزء الأسهم: 18999

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 5.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB4620PBF
Infineon Technologies

IRFB4620PBF

جزء الأسهم: 29305

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 72.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R080P7XKSA1

جزء الأسهم: 1353

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 37A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 11.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R099P6XKSA1

جزء الأسهم: 13094

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 37.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 14.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies

IPA80R1K0CEXKSA2

جزء الأسهم: 40921

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 3.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLL3303PBF
Infineon Technologies

IRLL3303PBF

جزء الأسهم: 64248

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR2908PBF
Infineon Technologies

IRLR2908PBF

جزء الأسهم: 38404

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R040C7XKSA1

جزء الأسهم: 5938

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 24.9A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI100N06S3L04XK
Infineon Technologies

IPI100N06S3L04XK

جزء الأسهم: 28314

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP16CN10NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP16CN10NGXKSA1

جزء الأسهم: 42632

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 53A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.5 mOhm @ 53A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R070P6XKSA1

جزء الأسهم: 10492

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 53.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 20.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLSL4030PBF
Infineon Technologies

IRLSL4030PBF

جزء الأسهم: 11777

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7413PBF
Infineon Technologies

IRF7413PBF

جزء الأسهم: 66589

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 7.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7473TRPBF
Infineon Technologies

IRF7473TRPBF

جزء الأسهم: 115934

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 4.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA65R600E6XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R600E6XKSA1

جزء الأسهم: 392

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R125P6XKSA1

جزء الأسهم: 15829

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 11.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW65R095C7XKSA1

جزء الأسهم: 10122

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 11.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW60R160C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R160C6FKSA1

جزء الأسهم: 1525

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 11.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW65R099C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R099C6FKSA1

جزء الأسهم: 10283

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SPP15P10PLHXKSA1
Infineon Technologies

SPP15P10PLHXKSA1

جزء الأسهم: 276

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 11.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IPS65R950C6AKMA1
Infineon Technologies

IPS65R950C6AKMA1

جزء الأسهم: 61555

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFSL7762PBF
Infineon Technologies

IRFSL7762PBF

جزء الأسهم: 40928

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.7 mOhm @ 51A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPA70R450P7SXKSA1

جزء الأسهم: 599

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 2.3A, 10V,

قائمة الرغبات