Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies

IPA50R280CEXKSA2

جزء الأسهم: 52764

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 13V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

قائمة الرغبات
IPI80N04S403AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N04S403AKSA1

جزء الأسهم: 45247

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
SPP21N50C3XKSA1
Infineon Technologies

SPP21N50C3XKSA1

جزء الأسهم: 18656

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R650CEXKSA1

جزء الأسهم: 67856

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPZA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R120P7XKSA1

جزء الأسهم: 1626

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 8.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies

IRFS7734TRL7PP

جزء الأسهم: 46835

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 197A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.05 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R040C7XKSA1

جزء الأسهم: 5430

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 24.9A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R280P6XKSA1

جزء الأسهم: 30698

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 5.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies

IPW80R360P7XKSA1

جزء الأسهم: 22478

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 360 mOhm @ 5.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPU039N03LGXK
Infineon Technologies

IPU039N03LGXK

جزء الأسهم: 53156

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF200S234
Infineon Technologies

IRF200S234

جزء الأسهم: 33708

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.9 mOhm @ 51A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R750P7XKSA1

جزء الأسهم: 39881

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R099C6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R099C6XKSA1

جزء الأسهم: 3123

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 37.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 18.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB23N20DPBF
Infineon Technologies

IRFB23N20DPBF

جزء الأسهم: 36487

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLZ24NSTRLPBF
Infineon Technologies

IRLZ24NSTRLPBF

جزء الأسهم: 104455

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB52N15DPBF
Infineon Technologies

IRFB52N15DPBF

جزء الأسهم: 24908

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF100P218XKMA1
Infineon Technologies

IRF100P218XKMA1

جزء الأسهم: 2451

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.28 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP4332PBF
Infineon Technologies

IRFP4332PBF

جزء الأسهم: 15631

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 57A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 35A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R080P7XKSA1

جزء الأسهم: 11575

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 37A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 11.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB59N10DPBF
Infineon Technologies

IRFB59N10DPBF

جزء الأسهم: 30711

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 59A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 35.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R950C6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R950C6XKSA1

جزء الأسهم: 3156

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB4127PBF
Infineon Technologies

IRFB4127PBF

جزء الأسهم: 18027

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 76A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 44A, 10V,

قائمة الرغبات
SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies

SPP07N60C3XKSA1

جزء الأسهم: 32208

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF1010ESTRLPBF
Infineon Technologies

IRF1010ESTRLPBF

جزء الأسهم: 84472

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 84A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP4229PBF
Infineon Technologies

IRFP4229PBF

جزء الأسهم: 16952

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 26A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies

IRFS3206TRRPBF

جزء الأسهم: 43544

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB7440PBF
Infineon Technologies

IRFB7440PBF

جزء الأسهم: 41633

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP052N08N5AKSA1
Infineon Technologies

IPP052N08N5AKSA1

جزء الأسهم: 29696

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF3805STRLPBF
Infineon Technologies

IRF3805STRLPBF

جزء الأسهم: 35359

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R230P6XKSA1

جزء الأسهم: 27820

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 6.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R170CFD7XKSA1

جزء الأسهم: 2788

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R450P7XKSA1

جزء الأسهم: 29152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL3803PBF
Infineon Technologies

IRL3803PBF

جزء الأسهم: 28169

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 140A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 71A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF3805S-7PPBF
Infineon Technologies

IRF3805S-7PPBF

جزء الأسهم: 13813

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA093N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA093N06N3GXKSA1

جزء الأسهم: 62635

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 43A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFZ44VPBF
Infineon Technologies

IRFZ44VPBF

جزء الأسهم: 61122

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.5 mOhm @ 31A, 10V,

قائمة الرغبات