الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 40

DMN6068LK3-13

جزء الأسهم: 146789

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZVN4206GVTA

جزء الأسهم: 162028

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMN3A03E6TA

جزء الأسهم: 111364

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMT6016LSS-13

جزء الأسهم: 107043

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMN6A08GTA

جزء الأسهم: 195664

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN2022UFDF-7

جزء الأسهم: 122140

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP3010LK3-13

جزء الأسهم: 181551

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN1019UVT-7

جزء الأسهم: 197994

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN2005K-7

جزء الأسهم: 150453

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 2.7V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP4025SFGQ-13

جزء الأسهم: 152166

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZVP2106A

جزء الأسهم: 76360

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 280mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN62D0U-7

جزء الأسهم: 123017

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 380mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZVN4525ZTA

جزء الأسهم: 189179

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN62D0LFD-7

جزء الأسهم: 192194

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 310mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN601TK-7

جزء الأسهم: 153302

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMN3B01FTA

جزء الأسهم: 109254

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMN6A11ZTA

جزء الأسهم: 144706

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMP10A18GTA

جزء الأسهم: 86664

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7B

جزء الأسهم: 115633

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN3300U-7

جزء الأسهم: 188904

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP210DUFB4-7

جزء الأسهم: 144234

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN3051L-7

جزء الأسهم: 193594

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 5.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP4025SFG-13

جزء الأسهم: 170714

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.65A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN62D1LFD-7

جزء الأسهم: 121460

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 400mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMN3067LW-7

جزء الأسهم: 187183

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TA

جزء الأسهم: 163986

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMP3A17E6TA

جزء الأسهم: 120456

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZVN4206GTA

جزء الأسهم: 164447

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZVP4525E6TA

جزء الأسهم: 70484

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 197mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZXMN10A08GTA

جزء الأسهم: 100355

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

ZVN3310FTA

جزء الأسهم: 140256

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP21D0UT-7

جزء الأسهم: 189691

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 590mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 495 mOhm @ 400mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP4051LK3-13

جزء الأسهم: 137296

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP2018LFK-7

جزء الأسهم: 161716

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMP32D4SW-7

جزء الأسهم: 148684

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Diodes Incorporated

DMT10H010LPS-13

جزء الأسهم: 108110

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A (Ta), 98A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات