Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

DMN67D8LW-13
Diodes Incorporated

DMN67D8LW-13

جزء الأسهم: 135435

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMP3028LFDE-13
Diodes Incorporated

DMP3028LFDE-13

جزء الأسهم: 135649

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
DMG3418L-7
Diodes Incorporated

DMG3418L-7

جزء الأسهم: 186796

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP32D4S-7
Diodes Incorporated

DMP32D4S-7

جزء الأسهم: 146620

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 300mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated

DMT2004UFDF-7

جزء الأسهم: 113972

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN10H099SK3-13
Diodes Incorporated

DMN10H099SK3-13

جزء الأسهم: 152044

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP6023LFG-7
Diodes Incorporated

DMP6023LFG-7

جزء الأسهم: 199658

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN3F30FHTA
Diodes Incorporated

ZXMN3F30FHTA

جزء الأسهم: 129330

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
ZVN4424A
Diodes Incorporated

ZVN4424A

جزء الأسهم: 59072

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 240V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMP3010LK3Q-13
Diodes Incorporated

DMP3010LK3Q-13

جزء الأسهم: 124976

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
ZVN2110A
Diodes Incorporated

ZVN2110A

جزء الأسهم: 92720

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 320mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated

DMP3098LQ-7

جزء الأسهم: 156859

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP22D4UFA-7B
Diodes Incorporated

DMP22D4UFA-7B

جزء الأسهم: 104627

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 330mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN33D8LT-13
Diodes Incorporated

DMN33D8LT-13

جزء الأسهم: 197367

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 10mA, 4V,

قائمة الرغبات
ZXMP6A13GTA
Diodes Incorporated

ZXMP6A13GTA

جزء الأسهم: 162793

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 390 mOhm @ 900mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMN62D0UW-7
Diodes Incorporated

DMN62D0UW-7

جزء الأسهم: 171441

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 340mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZVN4206A
Diodes Incorporated

ZVN4206A

جزء الأسهم: 87237

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 600mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN601WK-7
Diodes Incorporated

DMN601WK-7

جزء الأسهم: 144404

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMP10A17E6TA
Diodes Incorporated

ZXMP10A17E6TA

جزء الأسهم: 105905

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN3065LW-13
Diodes Incorporated

DMN3065LW-13

جزء الأسهم: 132048

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN2020LSN-7
Diodes Incorporated

DMN2020LSN-7

جزء الأسهم: 174518

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 9.4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP10H400SE-13
Diodes Incorporated

DMP10H400SE-13

جزء الأسهم: 157480

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A (Ta), 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP1045UFY4-7
Diodes Incorporated

DMP1045UFY4-7

جزء الأسهم: 123114

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP3050LVT-7
Diodes Incorporated

DMP3050LVT-7

جزء الأسهم: 135124

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMP4A16GTA
Diodes Incorporated

ZXMP4A16GTA

جزء الأسهم: 184987

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN3016LFDE-7
Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-7

جزء الأسهم: 165888

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN1019USN-13
Diodes Incorporated

DMN1019USN-13

جزء الأسهم: 169634

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP2047UCB4-7
Diodes Incorporated

DMP2047UCB4-7

جزء الأسهم: 181130

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZVN3306A
Diodes Incorporated

ZVN3306A

جزء الأسهم: 85164

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 270mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMG2305UX-7
Diodes Incorporated

DMG2305UX-7

جزء الأسهم: 122166

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZVP0545GTA
Diodes Incorporated

ZVP0545GTA

جزء الأسهم: 176181

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 450V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMN3150L-7
Diodes Incorporated

DMN3150L-7

جزء الأسهم: 195321

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 28V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated

DMN4034SSS-13

جزء الأسهم: 160325

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP3125L-7
Diodes Incorporated

DMP3125L-7

جزء الأسهم: 58796

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated

ZXMN10A07FTA

جزء الأسهم: 105713

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN61D9U-7
Diodes Incorporated

DMN61D9U-7

جزء الأسهم: 142317

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 380mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات