Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

ZXM66P03N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66P03N8TA

جزء الأسهم: 9127

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.25A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 5.6A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN2A05N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN2A05N8TA

جزء الأسهم: 9192

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V,

قائمة الرغبات
ZXM66N02N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66N02N8TA

جزء الأسهم: 9165

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 4.1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZXMN6A10N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN6A10N8TA

جزء الأسهم: 9152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V,

قائمة الرغبات
ZVN4206AVSTOA
Diodes Incorporated

ZVN4206AVSTOA

جزء الأسهم: 9170

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 600mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN3A05N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN3A05N8TA

جزء الأسهم: 9165

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V,

قائمة الرغبات
ZXM66N03N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66N03N8TA

جزء الأسهم: 9216

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 7.3A, 10V,

قائمة الرغبات
MMBF170-7
Diodes Incorporated

MMBF170-7

جزء الأسهم: 9186

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZVN3310ASTOB
Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOB

جزء الأسهم: 9123

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZXM66P02N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TA

جزء الأسهم: 9127

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
ZXM64N03XTA
Diodes Incorporated

ZXM64N03XTA

جزء الأسهم: 8859

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN3A02N8TA

جزء الأسهم: 8862

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP34M4SPS-13
Diodes Incorporated

DMP34M4SPS-13

جزء الأسهم: 20324

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 135A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
ZVP2120A
Diodes Incorporated

ZVP2120A

جزء الأسهم: 8905

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZVN0545A
Diodes Incorporated

ZVN0545A

جزء الأسهم: 40722

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 450V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZXM63N02E6TA
Diodes Incorporated

ZXM63N02E6TA

جزء الأسهم: 8906

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V,

قائمة الرغبات
DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated

DMT6016LPS-13

جزء الأسهم: 108367

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP4015SPS-13
Diodes Incorporated

DMP4015SPS-13

جزء الأسهم: 107588

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMG4468LFG
Diodes Incorporated

DMG4468LFG

جزء الأسهم: 8840

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.62A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V,

قائمة الرغبات
ZVN0540A
Diodes Incorporated

ZVN0540A

جزء الأسهم: 8887

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات
ZXM62N03E6TA
Diodes Incorporated

ZXM62N03E6TA

جزء الأسهم: 8876

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN7A11GTA
Diodes Incorporated

ZXMN7A11GTA

جزء الأسهم: 198180

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 70V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 4.4A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP4050SSS-13
Diodes Incorporated

DMP4050SSS-13

جزء الأسهم: 151154

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN10A25GTA
Diodes Incorporated

ZXMN10A25GTA

جزء الأسهم: 129068

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.9A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN6A08KTC
Diodes Incorporated

ZXMN6A08KTC

جزء الأسهم: 142825

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.36A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP4015SK3-13
Diodes Incorporated

DMP4015SK3-13

جزء الأسهم: 190274

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

قائمة الرغبات
ZVP4105A
Diodes Incorporated

ZVP4105A

جزء الأسهم: 8887

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 175mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
DMTH8012LPSQ-13
Diodes Incorporated

DMTH8012LPSQ-13

جزء الأسهم: 135917

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), 72A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN3A02X8TC
Diodes Incorporated

ZXMN3A02X8TC

جزء الأسهم: 8822

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
DMG302PU-7
Diodes Incorporated

DMG302PU-7

جزء الأسهم: 8763

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated

DMP4025LSS-13

جزء الأسهم: 169354

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
ZXMN10A08E6TC
Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TC

جزء الأسهم: 163028

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
DMP6110SFDF-13
Diodes Incorporated

DMP6110SFDF-13

جزء الأسهم: 124925

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN2300UFB-7B
Diodes Incorporated

DMN2300UFB-7B

جزء الأسهم: 166729

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.32A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN21D2UFB-7B
Diodes Incorporated

DMN21D2UFB-7B

جزء الأسهم: 103456

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 760mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMP3056LDM-7
Diodes Incorporated

DMP3056LDM-7

جزء الأسهم: 123333

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات