مدمج - FPGAs (مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميد

5SGXEB6R2F43C2N

5SGXEB6R2F43C2N

جزء الأسهم: 11

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED6N1F45C2L

5SGSED6N1F45C2L

جزء الأسهم: 86

عدد LABs / CLBs: 220000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 583000, إجمالي بت RAM: 54553600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7N2F40C1N

5SGXEA7N2F40C1N

جزء الأسهم: 90

عدد LABs / CLBs: 234720, عدد عناصر / خلايا المنطق: 622000, إجمالي بت RAM: 59939840, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SEE9F45C2L

5SEE9F45C2L

جزء الأسهم: 40

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGTMC7K3F40I2N

5SGTMC7K3F40I2N

جزء الأسهم: 53

عدد LABs / CLBs: 234750, عدد عناصر / خلايا المنطق: 622000, إجمالي بت RAM: 59938816, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD5K2F40I2L

5SGSMD5K2F40I2L

جزء الأسهم: 55

عدد LABs / CLBs: 172600, عدد عناصر / خلايا المنطق: 457000, إجمالي بت RAM: 46769152, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SEEBH40I3L

5SEEBH40I3L

جزء الأسهم: 56

عدد LABs / CLBs: 359250, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD5K1F40C1N

5SGSMD5K1F40C1N

جزء الأسهم: 104

عدد LABs / CLBs: 172600, عدد عناصر / خلايا المنطق: 457000, إجمالي بت RAM: 46769152, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD8K2F40I3N

5SGSMD8K2F40I3N

جزء الأسهم: 35

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED6K1F40C2N

5SGSED6K1F40C2N

جزء الأسهم: 87

عدد LABs / CLBs: 220000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 583000, إجمالي بت RAM: 54553600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB9R3H43I3LN

5SGXEB9R3H43I3LN

جزء الأسهم: 57

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB6R3F43C2L

5SGXEB6R3F43C2L

جزء الأسهم: 46

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N1F45I2N

5SGXMA7N1F45I2N

جزء الأسهم: 57

عدد LABs / CLBs: 234720, عدد عناصر / خلايا المنطق: 622000, إجمالي بت RAM: 59939840, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED8N3F45C2L

5SGSED8N3F45C2L

جزء الأسهم: 82

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA9N3F45C2LN

5SGXMA9N3F45C2LN

جزء الأسهم: 8

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB5R2F40C1N

5SGXMB5R2F40C1N

جزء الأسهم: 29

عدد LABs / CLBs: 185000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 490000, إجمالي بت RAM: 48927744, رقم I / O: 432, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMABN3F45I3N

5SGXMABN3F45I3N

جزء الأسهم: 15

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA9K3H40C2LN

5SGXMA9K3H40C2LN

جزء الأسهم: 61

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED6K1F40C2LN

5SGSED6K1F40C2LN

جزء الأسهم: 100

عدد LABs / CLBs: 220000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 583000, إجمالي بت RAM: 54553600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB6R2F40C2LN

5SGXEB6R2F40C2LN

جزء الأسهم: 73

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 432, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB9R3H43I3N

5SGXMB9R3H43I3N

جزء الأسهم: 79

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7N2F45I2

5SGXEA7N2F45I2

جزء الأسهم: 51

عدد LABs / CLBs: 234720, عدد عناصر / خلايا المنطق: 622000, إجمالي بت RAM: 59939840, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMB6R2F40C2N

5SGXMB6R2F40C2N

جزء الأسهم: 52

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 432, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA9K3H40C2LN

5SGXEA9K3H40C2LN

جزء الأسهم: 50

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SEE9H40I3L

5SEE9H40I3L

جزء الأسهم: 52

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA9K3H40C2N

5SGXMA9K3H40C2N

جزء الأسهم: 20

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEABK3H40I3LN

5SGXEABK3H40I3LN

جزء الأسهم: 70

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD8N2F45C2N

5SGSMD8N2F45C2N

جزء الأسهم: 31

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7K1F40I2N

5SGXMA7K1F40I2N

جزء الأسهم: 69

عدد LABs / CLBs: 234720, عدد عناصر / خلايا المنطق: 622000, إجمالي بت RAM: 59939840, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD6N1F45C2N

5SGSMD6N1F45C2N

جزء الأسهم: 65

عدد LABs / CLBs: 220000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 583000, إجمالي بت RAM: 54553600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SEEBH40I3N

5SEEBH40I3N

جزء الأسهم: 23

عدد LABs / CLBs: 359250, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD8K2F40C2N

5SGSMD8K2F40C2N

جزء الأسهم: 86

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SEEBH40I3LN

5SEEBH40I3LN

جزء الأسهم: 43

عدد LABs / CLBs: 359250, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD6N1F45C2LN

5SGSMD6N1F45C2LN

جزء الأسهم: 106

عدد LABs / CLBs: 220000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 583000, إجمالي بت RAM: 54553600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED8N2F45C2LN

5SGSED8N2F45C2LN

جزء الأسهم: 47

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5962-0054302QYC

5962-0054302QYC

جزء الأسهم: 46

عدد LABs / CLBs: 6036, رقم I / O: 171, عدد البوابات: 108000, الجهد - العرض: 2.25V ~ 5.25V,