مدمج - FPGAs (مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميد

5SGXMABK1H40C2N

5SGXMABK1H40C2N

جزء الأسهم: 67

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SEE9F45I2LN

5SEE9F45I2LN

جزء الأسهم: 21

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA9N2F45I3N

5SGXMA9N2F45I3N

جزء الأسهم: 94

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA9N2F45I3LN

5SGXMA9N2F45I3LN

جزء الأسهم: 46

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEBBR2H43I3N

5SGXEBBR2H43I3N

جزء الأسهم: 102

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SEE9H40I2N

5SEE9H40I2N

جزء الأسهم: 12

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SEE9F45I2L

5SEE9F45I2L

جزء الأسهم: 72

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SEEBF45C2L

5SEEBF45C2L

جزء الأسهم: 8

عدد LABs / CLBs: 359250, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA9K1H40C2LN

5SGXEA9K1H40C2LN

جزء الأسهم: 54

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEABK3H40C2L

5SGXEABK3H40C2L

جزء الأسهم: 102

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED8N2F45I2LN

5SGSED8N2F45I2LN

جزء الأسهم: 11

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB6R2F40C1N

5SGXMB6R2F40C1N

جزء الأسهم: 73

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 432, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED6K2F40I2L

5SGSED6K2F40I2L

جزء الأسهم: 21

عدد LABs / CLBs: 220000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 583000, إجمالي بت RAM: 54553600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEABN2F45I3LN

5SGXEABN2F45I3LN

جزء الأسهم: 19

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB6R2F40I2LN

5SGXMB6R2F40I2LN

جزء الأسهم: 7

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 432, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMBBR2H43C2LN

5SGXMBBR2H43C2LN

جزء الأسهم: 16

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMABK2H40I3LN

5SGXMABK2H40I3LN

جزء الأسهم: 75

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB9R2H43C2N

5SGXEB9R2H43C2N

جزء الأسهم: 94

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB9R1H43C2LN

5SGXEB9R1H43C2LN

جزء الأسهم: 66

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB9R2H43C2LN

5SGXMB9R2H43C2LN

جزء الأسهم: 25

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB6R1F43C2L

5SGXEB6R1F43C2L

جزء الأسهم: 53

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA9N3F45I3L

5SGXEA9N3F45I3L

جزء الأسهم: 45

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB5R1F40C1N

5SGXEB5R1F40C1N

جزء الأسهم: 75

عدد LABs / CLBs: 185000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 490000, إجمالي بت RAM: 48927744, رقم I / O: 432, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEABN3F45C2LN

5SGXEABN3F45C2LN

جزء الأسهم: 82

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEABK1H40C2LN

5SGXEABK1H40C2LN

جزء الأسهم: 104

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEBBR3H43C2N

5SGXEBBR3H43C2N

جزء الأسهم: 21

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA9K1H40C2LN

5SGXMA9K1H40C2LN

جزء الأسهم: 64

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB9R1H43C2N

5SGXMB9R1H43C2N

جزء الأسهم: 11

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD8N2F45I2LN

5SGSMD8N2F45I2LN

جزء الأسهم: 57

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED8N1F45C2L

5SGSED8N1F45C2L

جزء الأسهم: 71

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED8N1F45C2N

5SGSED8N1F45C2N

جزء الأسهم: 49

عدد LABs / CLBs: 262400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 695000, إجمالي بت RAM: 60968960, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEABN2F45C2LN

5SGXEABN2F45C2LN

جزء الأسهم: 41

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEABK2H40C2L

5SGXEABK2H40C2L

جزء الأسهم: 7

عدد LABs / CLBs: 359200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB6R2F43I2N

5SGXMB6R2F43I2N

جزء الأسهم: 81

عدد LABs / CLBs: 225400, عدد عناصر / خلايا المنطق: 597000, إجمالي بت RAM: 61688832, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB9R1H43C2N

5SGXEB9R1H43C2N

جزء الأسهم: 71

عدد LABs / CLBs: 317000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 840000, إجمالي بت RAM: 64210944, رقم I / O: 600, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

5SEEBF45I3L

5SEEBF45I3L

جزء الأسهم: 105

عدد LABs / CLBs: 359250, عدد عناصر / خلايا المنطق: 952000, إجمالي بت RAM: 65561600, رقم I / O: 840, الجهد - العرض: 0.82V ~ 0.88V,