| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع الترانزستور | PNP + Diode (Isolated) |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 2A |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 390mV @ 300mA, 3A |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA (ICBO) |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 200 @ 1A, 2V |
| أقصى القوة | 1W |
| التردد - الانتقال | 100MHz |
| درجة حرارة التشغيل | - |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| حزمة جهاز المورد | 8-SO |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
