يكتب | وصف |
حالة الجزء | Obsolete |
---|---|
نوع الترانزستور | PNP + Diode (Isolated) |
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 2A |
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 390mV @ 300mA, 3A |
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA (ICBO) |
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 200 @ 1A, 2V |
أقصى القوة | 1W |
التردد - الانتقال | 100MHz |
درجة حرارة التشغيل | - |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
حزمة جهاز المورد | 8-SO |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |