| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | PNP |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 5A |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 40V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 260mV @ 400mA, 4A |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA (ICBO) |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 180 @ 2A, 2V |
| أقصى القوة | 875mW |
| التردد - الانتقال | 100MHz |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 3-WDFN Exposed Pad |
| حزمة جهاز المورد | 3-WDFN (2x2) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
