| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | PNP |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 2A |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 35V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 100 @ 1.5A, 2V |
| أقصى القوة | 635mW |
| التردد - الانتقال | 100MHz |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SMD, Flat Lead |
| حزمة جهاز المورد | ChipFET™ |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
