| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | NPN |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 500mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 300V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA (ICBO) |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| أقصى القوة | 625mW |
| التردد - الانتقال | 50MHz |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| العبوة / العلبة | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| حزمة جهاز المورد | TO-92-3 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
