| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| ميزة FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 100V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 1.7A, 500mA |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| أقصى القوة | - |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 9-VFBGA |
| حزمة جهاز المورد | 9-BGA (1.35x1.35) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
