| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| ميزة FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| أقصى القوة | - |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | Die |
| حزمة جهاز المورد | Die |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
