| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع الترانزستور | PNP |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 800mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 120V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA (ICBO) |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| أقصى القوة | 900mW |
| التردد - الانتقال | 120MHz |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| العبوة / العلبة | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| حزمة جهاز المورد | LSTM |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
