| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | PNP |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 100mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 10V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | - |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 10µA (ICBO) |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 100 @ 1mA, 500mV |
| أقصى القوة | 400mW |
| التردد - الانتقال | - |
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 3-SMD, No Lead |
| حزمة جهاز المورد | UB |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
