الاستشعار عن بعد: 0.157" (4mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 32V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, طريقة الاستشعار: Reflective, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 100mA, نوع الإخراج: PIN Photodiode,
الاستشعار عن بعد: 0.02" (0.5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 100mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.591" (15mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, طريقة الاستشعار: Reflective, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: PIN Photodiode,
الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 32V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.157" (4mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 32V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.591" (15mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
