Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة

  • منزل، بيت
  •  
  • المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة
TCUT1800X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1800X01

جزء الأسهم: 4766

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات
TCST1230
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1230

جزء الأسهم: 60074

الاستشعار عن بعد: 0.110" (2.8mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCUT1600X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1600X01

جزء الأسهم: 88439

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات
TCPT1600X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1600X01

جزء الأسهم: 91321

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات
TCST2202
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2202

جزء الأسهم: 39429

الاستشعار عن بعد: 0.122" (3.1mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCPT1300X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1300X01

جزء الأسهم: 110985

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات
TCST1300
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1300

جزء الأسهم: 35799

الاستشعار عن بعد: 3.1mm, طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500µA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCUT1350X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1350X01

جزء الأسهم: 99652

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات
TCUT1630X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1630X01

جزء الأسهم: 4829

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات
TCST2103
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2103

جزء الأسهم: 39418

الاستشعار عن بعد: 3.1mm, طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCST1202
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1202

جزء الأسهم: 45781

الاستشعار عن بعد: 0.122" (3.1mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCST1030
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1030

جزء الأسهم: 62621

الاستشعار عن بعد: 0.122" (3.1mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCST5250
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST5250

جزء الأسهم: 40523

الاستشعار عن بعد: 0.106" (2.7mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCST2300
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2300

جزء الأسهم: 35047

الاستشعار عن بعد: 0.122" (3.1mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCPT1350X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1350X01

جزء الأسهم: 109658

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 15mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات
TCST1103
Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1103

جزء الأسهم: 47579

الاستشعار عن بعد: 0.122" (3.1mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V,

قائمة الرغبات
TCUT1300X01
Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1300X01

جزء الأسهم: 99768

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

قائمة الرغبات