حجم الذاكرة: 36K (512 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 33.4MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 576K (32K x 18)(64K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 512 (256 x 1 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 60MHz, وقت الوصول: 9ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 18K (1K x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 25MHz, وقت الوصول: 35ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 33.4MHz, وقت الوصول: 18ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 576K (32K x 18)(64K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 17ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 95mA,
حجم الذاكرة: 1.125K (64 x 18), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 25MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40µA,
حجم الذاكرة: 288K (16K x 18)(32K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 1.125K (64 x 18), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 18ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 67MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 95mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 17ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 95mA,
حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 33.4MHz, وقت الوصول: 18ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 18K (1K x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 33.4MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 36K (1K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 11ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 512 (256 x 1 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 60MHz, وقت الوصول: 9ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 288K (16K x 18)(32K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 512 (256 x 1 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 22MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 18K (256 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 13ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 18), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 25MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
