نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: XOR (Exclusive OR), عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 3V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 8, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
