الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف

ULN2004ADR

ULN2004ADR

جزء الأسهم: 132237

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA,

قائمة الرغبات
ULN2003ADR

ULN2003ADR

جزء الأسهم: 137275

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA,

قائمة الرغبات
ULN2003ADRG4

ULN2003ADRG4

جزء الأسهم: 142447

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA,

قائمة الرغبات
ULN2003AIPWR

ULN2003AIPWR

جزء الأسهم: 189360

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA,

قائمة الرغبات
ULN2803ADWRG4

ULN2803ADWRG4

جزء الأسهم: 116432

نوع الترانزستور: 8 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

قائمة الرغبات
ULN2003APWR

ULN2003APWR

جزء الأسهم: 179434

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA,

قائمة الرغبات