Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

SS23LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHMQG

جزء الأسهم: 227

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS1KLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHRHG

جزء الأسهم: 229

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S1MLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MLHMTG

جزء الأسهم: 215

نوع الصمام الثنائي: Standard, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
SS15LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15LHRVG

جزء الأسهم: 230

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS1ALHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHRTG

جزء الأسهم: 228

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SS215L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L MTG

جزء الأسهم: 142

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS1BLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BLHMHG

جزء الأسهم: 215

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SK86CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK86CHR7G

جزء الأسهم: 166

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS12LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LHMHG

جزء الأسهم: 216

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
HS1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1DL MTG

جزء الأسهم: 183

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
SS15LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15LHMHG

جزء الأسهم: 154

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS26L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26L M2G

جزء الأسهم: 140

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS110L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110L RFG

جزء الأسهم: 219

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS115LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LHM2G

جزء الأسهم: 158

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1KL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL RTG

جزء الأسهم: 220

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
RS1ML RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ML RFG

جزء الأسهم: 233

نوع الصمام الثنائي: Standard, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
SS26L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26L RHG

جزء الأسهم: 204

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RSFJL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJL MQG

جزء الأسهم: 217

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
SS34LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34LHRTG

جزء الأسهم: 141

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1ALHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1ALHMHG

جزء الأسهم: 144

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
RS1JLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHRFG

جزء الأسهم: 168

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
ES1CL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CL RFG

جزء الأسهم: 226

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
ES1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DL RFG

جزء الأسهم: 145

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
ES1AL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL M2G

جزء الأسهم: 197

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
RSFGLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGLHMTG

جزء الأسهم: 227

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SS23L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L MHG

جزء الأسهم: 182

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS210LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210LHMQG

جزء الأسهم: 156

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS22LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHRVG

جزء الأسهم: 202

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1ALHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ALHRHG

جزء الأسهم: 163

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
HS1ML RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1ML RHG

جزء الأسهم: 203

نوع الصمام الثنائي: Standard, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
SS210LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210LHRTG

جزء الأسهم: 210

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RSFBL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL MQG

جزء الأسهم: 181

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
RSFALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHRUG

جزء الأسهم: 192

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
RSFALHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHM2G

جزء الأسهم: 145

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
RS1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL MQG

جزء الأسهم: 139

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
S1KLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KLHMQG

جزء الأسهم: 183

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات