Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

RS1KL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KL MHG

جزء الأسهم: 173

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
RS1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHMTG

جزء الأسهم: 199

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
S1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHM2G

جزء الأسهم: 187

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
S1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RHG

جزء الأسهم: 218

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
RS1JL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL MQG

جزء الأسهم: 212

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
SS315HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS315HR7G

جزء الأسهم: 185

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RSFJLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJLHMTG

جزء الأسهم: 216

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
S1BLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHRUG

جزء الأسهم: 144

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
RSFKL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKL RHG

جزء الأسهم: 149

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
HS1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL MQG

جزء الأسهم: 176

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
SS16LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHMQG

جزء الأسهم: 229

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL M2G

جزء الأسهم: 154

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SSL33HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL33HR7G

جزء الأسهم: 188

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 410mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1FLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FLHMTG

جزء الأسهم: 184

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
RS1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL M2G

جزء الأسهم: 181

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
RSFDLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDLHMQG

جزء الأسهم: 189

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SK515CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK515CHR7G

جزء الأسهم: 161

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RSFBLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHMHG

جزء الأسهم: 145

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SS115LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LHRVG

جزء الأسهم: 197

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BL MHG

جزء الأسهم: 187

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
HS1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1AL RTG

جزء الأسهم: 231

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
RS1DLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHRHG

جزء الأسهم: 218

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SS215LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215LHRHG

جزء الأسهم: 222

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS1KLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHMTG

جزء الأسهم: 143

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
SS12LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LHRHG

جزء الأسهم: 160

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1JL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL RFG

جزء الأسهم: 191

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
SS26LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHMTG

جزء الأسهم: 232

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS210L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L RTG

جزء الأسهم: 155

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1BLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BLHMHG

جزء الأسهم: 225

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
SS210L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MHG

جزء الأسهم: 153

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RFG

جزء الأسهم: 200

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
RS1JLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHRHG

جزء الأسهم: 147

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 800mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 800mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
S1KL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL MHG

جزء الأسهم: 151

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
SS13LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13LHRUG

جزء الأسهم: 221

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS23LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHRTG

جزء الأسهم: 186

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RUG

جزء الأسهم: 186

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات