يكتب: Molded, الحث: 6.8µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 11.5A, التيار - التشبع: 18A,
يكتب: Molded, الحث: 7µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 11.2A, التيار - التشبع: 17.7A,
يكتب: Molded, الحث: 4.7µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 13.5A, التيار - التشبع: 28A,
يكتب: Molded, الحث: 5.6µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 12.5A, التيار - التشبع: 23A,
يكتب: Molded, الحث: 3.3µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 18A, التيار - التشبع: 30A,
يكتب: Molded, الحث: 47µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 6.5A, التيار - التشبع: 9.5A,
يكتب: Molded, الحث: 33µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 8A, التيار - التشبع: 11A,
يكتب: Molded, الحث: 1.8µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 24A, التيار - التشبع: 40A,
يكتب: Molded, الحث: 22µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 9A, التيار - التشبع: 12A,
يكتب: Molded, الحث: 15µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 9A, التيار - التشبع: 12.5A,
يكتب: Molded, الحث: 1.5µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 27A, التيار - التشبع: 45A,
يكتب: Molded, الحث: 1µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 30A, التيار - التشبع: 48A,
يكتب: Molded, الحث: 12µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 9.5A, التيار - التشبع: 14A,
يكتب: Molded, الحث: 10µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 10A, التيار - التشبع: 15.5A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 4.7µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 1.1A, التيار - التشبع: 1.3A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 3.3µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 1.4A, التيار - التشبع: 1.5A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 330nH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 1.2A, التيار - التشبع: 1.35A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 470nH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 1.1A, التيار - التشبع: 1.3A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 220nH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 1.6A, التيار - التشبع: 1.2A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 220nH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 1.6A, التيار - التشبع: 1.2A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 2.2µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 600mA, التيار - التشبع: 350mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 2.2µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 600mA, التيار - التشبع: 350mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 1.5µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 700mA, التيار - التشبع: 500mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 1.5µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 700mA, التيار - التشبع: 500mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 1µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 800mA, التيار - التشبع: 700mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 680nH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 900mA, التيار - التشبع: 800mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 1µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 800mA, التيار - التشبع: 700mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 680nH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 900mA, التيار - التشبع: 800mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 470nH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 1.15A, التيار - التشبع: 1.05A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 470nH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 1.15A, التيار - التشبع: 1.05A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 330nH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 1.1A, التيار - التشبع: 1.35A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 330nH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 1.1A, التيار - التشبع: 1.35A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ceramic, الحث: 220nH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 1.2A, التيار - التشبع: 1.45A,
المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 6.8µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 3.5A, التيار - التشبع: 3.8A,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 680µH, تسامح: ±10%, التصويت الحالي: 40mA,
