المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة | مجسات ومحولات طاقة | 3

EE-SA107-P2

جزء الأسهم: 12472

الاستشعار عن بعد: 0.142" (3.6mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-CS

جزء الأسهم: 18915

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1096-W11

جزء الأسهم: 5780

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX199

جزء الأسهم: 22006

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-G

جزء الأسهم: 17615

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088

جزء الأسهم: 19068

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ8-B

جزء الأسهم: 11701

الاستشعار عن بعد: 0.315" (8mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-D

جزء الأسهم: 9679

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1042

جزء الأسهم: 21566

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1235A-P2

جزء الأسهم: 15630

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات