Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة

  • منزل، بيت
  •  
  • المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة
EE-SX1115
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1115

جزء الأسهم: 23494

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SA105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA105

جزء الأسهم: 10410

طريقة الاستشعار: Actuator, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1350
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1350

جزء الأسهم: 54189

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 30mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V,

قائمة الرغبات
EE-SX198
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX198

جزء الأسهم: 23602

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SV3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3

جزء الأسهم: 10017

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX129
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX129

جزء الأسهم: 14862

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1041
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1041

جزء الأسهم: 26774

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1105

جزء الأسهم: 36692

الاستشعار عن بعد: 0.079" (2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1061
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1061

جزء الأسهم: 34477

الاستشعار عن بعد: 0.142" (3.6mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1070
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1070

جزء الأسهم: 22419

الاستشعار عن بعد: 0.315" (8mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1071
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1071

جزء الأسهم: 24563

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SA104
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA104

جزء الأسهم: 21185

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1031
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1031

جزء الأسهم: 9457

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: 2 NPN, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1137
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1137

جزء الأسهم: 26619

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SA103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA103

جزء الأسهم: 46470

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SV3-DS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-DS

جزء الأسهم: 9640

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1160-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1160-W11

جزء الأسهم: 5407

الاستشعار عن بعد: 0.374" (9.5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1088-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088-W11

جزء الأسهم: 5667

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1018
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1018

جزء الأسهم: 20635

الاستشعار عن بعد: 0.079" (2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SG3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SG3

جزء الأسهم: 13113

الاستشعار عن بعد: 0.142" (3.6mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1025
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1025

جزء الأسهم: 19938

الاستشعار عن بعد: 0.110" (2.8mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1046
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1046

جزء الأسهم: 16742

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1106
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1106

جزء الأسهم: 36662

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1161-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1161-W11

جزء الأسهم: 5717

الاستشعار عن بعد: 0.126" (3.2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1055
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1055

جزء الأسهم: 23952

الاستشعار عن بعد: 0.110" (2.8mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SH3-GS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-GS

جزء الأسهم: 15860

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SV3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-B

جزء الأسهم: 11328

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX153
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX153

جزء الأسهم: 14873

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SH3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-B

جزء الأسهم: 15230

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1340
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1340

جزء الأسهم: 64711

الاستشعار عن بعد: 0.157" (4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 30mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V,

قائمة الرغبات
EE-SH3-C
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-C

جزء الأسهم: 10574

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1320
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1320

جزء الأسهم: 126846

الاستشعار عن بعد: 0.079" (2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 5mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
EE-SX1035
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1035

جزء الأسهم: 18256

الاستشعار عن بعد: 0.205" (5.2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1321
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1321

جزء الأسهم: 82172

الاستشعار عن بعد: 0.079" (2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
EE-SJ3-D
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ3-D

جزء الأسهم: 10598

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
EE-SX1103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1103

جزء الأسهم: 36621

الاستشعار عن بعد: 0.079" (2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات