Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

BUK761R7-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK761R7-40E,118

جزء الأسهم: 64866

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7880-55/CUF
Nexperia USA Inc.

BUK7880-55/CUF

جزء الأسهم: 137946

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7107-55ATE,118

جزء الأسهم: 8606

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK661R6-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK661R6-30C,118

جزء الأسهم: 63697

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9628-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9628-55A,118

جزء الأسهم: 154200

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK6D43-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK6D43-60EX

جزء الأسهم: 24356

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7Y18-75B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-75B,115

جزء الأسهم: 197618

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 49A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK6D120-60PX
Nexperia USA Inc.

BUK6D120-60PX

جزء الأسهم: 24343

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9840-55/CUX
Nexperia USA Inc.

BUK9840-55/CUX

جزء الأسهم: 139579

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), 10.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y104-100B,115

جزء الأسهم: 164195

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M14-40EX

جزء الأسهم: 179377

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK964R8-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK964R8-60E,118

جزء الأسهم: 72266

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK765R0-100E,118
Nexperia USA Inc.

BUK765R0-100E,118

جزء الأسهم: 47693

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6610-75C,118

جزء الأسهم: 112806

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 78A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK763R9-60E,118

جزء الأسهم: 64641

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9230-100B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9230-100B,118

جزء الأسهم: 59587

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 47A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9275-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9275-100A,118

جزء الأسهم: 172654

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK6217-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6217-55C,118

جزء الأسهم: 159020

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7219-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7219-55A,118

جزء الأسهم: 184579

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9215-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9215-55A,118

جزء الأسهم: 184578

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9240-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9240-100A,118

جزء الأسهم: 151749

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9207-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9207-30B,118

جزء الأسهم: 152477

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK6209-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6209-30C,118

جزء الأسهم: 102855

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.8 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK96180-100A,118

جزء الأسهم: 147944

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK9614-60E,118

جزء الأسهم: 122604

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7Y4R4-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y4R4-40EX

جزء الأسهم: 176281

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7Y7R8-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y7R8-80EX

جزء الأسهم: 118582

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9Y6R0-60E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y6R0-60E,115

جزء الأسهم: 141695

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7E2R6-60E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E2R6-60E,127

جزء الأسهم: 29265

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9Y19-75B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-75B,115

جزء الأسهم: 140943

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 48.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK765R3-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK765R3-40E,118

جزء الأسهم: 141625

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9209-40B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9209-40B,118

جزء الأسهم: 149318

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7210-55B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7210-55B,118

جزء الأسهم: 152495

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK9219-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9219-55A,118

جزء الأسهم: 172078

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK7222-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7222-55A,118

جزء الأسهم: 187022

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 48A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
BUK663R2-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK663R2-40C,118

جزء الأسهم: 91480

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات