الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

BUK9535-55A,127

جزء الأسهم: 64839

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 34A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9529-100B,127

جزء الأسهم: 124

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9230-55A,118

جزء الأسهم: 197598

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 15A, 10V,

BUK9506-75B,127

جزء الأسهم: 30726

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9107-55ATE,118

جزء الأسهم: 74

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

BUK9222-55A,127

جزء الأسهم: 35

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 48A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7905-40ATE,127

جزء الأسهم: 49786

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

BUK7907-40ATC,127

جزء الأسهم: 66687

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

BUK7575-55A,127

جزء الأسهم: 66

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7575-100A,127

جزء الأسهم: 110

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V,

BUK754R0-55B,127

جزء الأسهم: 87

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7520-55A,127

جزء الأسهم: 129

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 54A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7510-100B,127

جزء الأسهم: 65

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7511-55B,127

جزء الأسهم: 100

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7508-40B,127

جزء الأسهم: 86

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7507-55B,127

جزء الأسهم: 36

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7105-40ATE,118

جزء الأسهم: 101

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

BUK7107-40ATC,118

جزء الأسهم: 38

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

BUK9535-100A,127

جزء الأسهم: 122

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 41A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9514-55A,127

جزء الأسهم: 68

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 73A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9515-100A,127

جزء الأسهم: 122

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7535-55A,127

جزء الأسهم: 83

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 20A, 10V,

BUK9511-55A,127

جزء الأسهم: 87

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7516-55A,127

جزء الأسهم: 105

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 65.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7520-100A,127

جزء الأسهم: 56

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 63A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7508-55A,127

جزء الأسهم: 6065

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7506-55A,127

جزء الأسهم: 31098

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V,

BUK764R0-75C,118

جزء الأسهم: 55807

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

BSP89,115

جزء الأسهم: 155198

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 240V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 375mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 340mA, 10V,

BUK7Y41-80EX

جزء الأسهم: 191459

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

BUK7Y4R8-60EX

جزء الأسهم: 98674

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK6D23-40EX

جزء الأسهم: 16293

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

BUK9C10-55BIT/A,11

جزء الأسهم: 9630

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

BUK9MJJ-55PTT,518

جزء الأسهم: 9564

BSS84AKW-BX

جزء الأسهم: 9579

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

BUK751R8-40E,127

جزء الأسهم: 9519

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,