يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 1.8nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 280mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 33nH, تسامح: ±5%, التصويت الحالي: 550mA,
يكتب: Thick Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 1.2nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 550mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 3.9nH, تسامح: ±0.5nH, التصويت الحالي: 850mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 10nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 650mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 8.2nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 550mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 3.4nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 500mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 56nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 360mA,
يكتب: Thick Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 0.5nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 730mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 8.2nH, تسامح: ±0.5nH, التصويت الحالي: 800mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 11nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 7.5nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 6.2nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 7.5nH, تسامح: ±0.2nH, التصويت الحالي: 750mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 390nH, تسامح: ±5%, التصويت الحالي: 80mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 18nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 400mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 1.1nH, تسامح: ±0.2nH, التصويت الحالي: 1A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 150nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 150mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 1nH, تسامح: ±0.3nH, التصويت الحالي: 1A,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 6.2nH, تسامح: ±0.5nH, التصويت الحالي: 750mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 12nH, تسامح: ±5%, التصويت الحالي: 600mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 22nH, تسامح: ±5%, التصويت الحالي: 500mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 10µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 100mA, التيار - التشبع: 100mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 5.6nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 18nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 80mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 3nH, تسامح: ±0.2nH, التصويت الحالي: 800mA,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 39nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 9.1nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 100mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 5.6nH, تسامح: ±0.5nH, التصويت الحالي: 750mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 6.8nH, تسامح: ±3%, التصويت الحالي: 400mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 2.8nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 450mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 2.2nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 220mA,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 0.6nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 1.1A,
يكتب: Thin Film, المادة - الأساسية: Non-Magnetic, الحث: 2nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 600mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 0.5nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 1A,
يكتب: Multilayer, المادة - الأساسية: Air, الحث: 5.6nH, تسامح: ±0.2nH, التصويت الحالي: 650mA,
