أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 384b (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 865MHz ~ 955MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (User),
أسلوب: Encapsulated, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 896b (User), المعايير: ISO 15693,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 865MHz ~ 920MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (User),
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 896b (User), المعايير: ISO 15693,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 144B (User), المعايير: ISO 14443, NFC,
