الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 7

APTM20DUM05G

جزء الأسهم: 536

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 317A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

جزء الأسهم: 731

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V (1kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

جزء الأسهم: 766

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 99A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

جزء الأسهم: 767

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

جزء الأسهم: 533

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V (1kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

جزء الأسهم: 1743

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 39A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

جزء الأسهم: 448

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 99A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

جزء الأسهم: 2026

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

جزء الأسهم: 1204

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Super Junction, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 95A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

جزء الأسهم: 712

نوع FET: 2 N Channel (Phase Leg), ميزة FET: Super Junction, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 95A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

جزء الأسهم: 306

نوع FET: 4 N-Channel, ميزة FET: Silicon Carbide (SiC), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V (1.2kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 147A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

جزء الأسهم: 1671

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 37A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

جزء الأسهم: 461

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM120A15FG

جزء الأسهم: 396

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V (1.2kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

جزء الأسهم: 936

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

جزء الأسهم: 423

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

جزء الأسهم: 488

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 495A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

جزء الأسهم: 196

نوع FET: 2 N Channel (Phase Leg), ميزة FET: Silicon Carbide (SiC), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1700V (1.7kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

جزء الأسهم: 1797

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Super Junction, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 49A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

جزء الأسهم: 261

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V (1.2kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 34A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

جزء الأسهم: 446

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 278A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

جزء الأسهم: 2107

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

جزء الأسهم: 139

نوع FET: 2 N Channel (Phase Leg), ميزة FET: Silicon Carbide (SiC), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1700V (1.7kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

جزء الأسهم: 1065

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

جزء الأسهم: 381

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 208A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

جزء الأسهم: 433

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 317A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

جزء الأسهم: 940

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 139A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

جزء الأسهم: 1470

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

جزء الأسهم: 1719

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

جزء الأسهم: 1728

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

جزء الأسهم: 599

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Silicon Carbide (SiC), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

جزء الأسهم: 489

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 175A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

جزء الأسهم: 743

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Super Junction, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 49A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

جزء الأسهم: 1759

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

جزء الأسهم: 248

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 72A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

جزء الأسهم: 545

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

قائمة الرغبات