الثنائيات - المقومات - المصفوفات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 13

APT30D100BCAG

جزء الأسهم: 4419

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

جزء الأسهم: 7652

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 17A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

جزء الأسهم: 647

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 60A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

جزء الأسهم: 910

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 40A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

جزء الأسهم: 4083

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 40A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

جزء الأسهم: 4104

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 30A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

جزء الأسهم: 4162

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 30A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

جزء الأسهم: 1523

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 20A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

جزء الأسهم: 4122

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 90A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 90A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

جزء الأسهم: 3952

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 36A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

جزء الأسهم: 2369

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

جزء الأسهم: 952

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 40A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

جزء الأسهم: 777

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 50A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

جزء الأسهم: 3868

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

جزء الأسهم: 3871

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

جزء الأسهم: 3895

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

جزء الأسهم: 3885

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

جزء الأسهم: 4438

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3.3V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

جزء الأسهم: 3858

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

جزء الأسهم: 6132

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 4V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

جزء الأسهم: 3860

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

جزء الأسهم: 4074

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

جزء الأسهم: 3544

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

جزء الأسهم: 3886

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

جزء الأسهم: 4128

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

جزء الأسهم: 4064

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

جزء الأسهم: 3857

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

جزء الأسهم: 2926

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X100D20J

جزء الأسهم: 2701

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15S20KCTG

جزء الأسهم: 3861

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 830mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT2X100D120J

جزء الأسهم: 2138

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 93A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15S20BCTG

جزء الأسهم: 3837

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 830mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15DS60BG

جزء الأسهم: 7305

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 13A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 4V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15D60BCAG

جزء الأسهم: 3892

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 14A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15DQ120BCTG

جزء الأسهم: 3827

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3.3V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15D120BCTG

جزء الأسهم: 3855

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات