Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

APT6017LFLLG
Microsemi Corporation

APT6017LFLLG

جزء الأسهم: 3368

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 17.5A, 10V,

قائمة الرغبات
APT94N60L2C3G
Microsemi Corporation

APT94N60L2C3G

جزء الأسهم: 2612

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 94A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
APT75M50L
Microsemi Corporation

APT75M50L

جزء الأسهم: 4263

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

قائمة الرغبات
APT34M60B
Microsemi Corporation

APT34M60B

جزء الأسهم: 5983

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 17A, 10V,

قائمة الرغبات
APT10035JLL
Microsemi Corporation

APT10035JLL

جزء الأسهم: 1793

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
APT39M60J
Microsemi Corporation

APT39M60J

جزء الأسهم: 2775

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 28A, 10V,

قائمة الرغبات
APT37M100L
Microsemi Corporation

APT37M100L

جزء الأسهم: 3166

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 37A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
APT66F60B2
Microsemi Corporation

APT66F60B2

جزء الأسهم: 3242

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 33A, 10V,

قائمة الرغبات
APT20M11JVR
Microsemi Corporation

APT20M11JVR

جزء الأسهم: 1386

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 175A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
APT100M50J
Microsemi Corporation

APT100M50J

جزء الأسهم: 1694

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 103A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
APT28M120B2
Microsemi Corporation

APT28M120B2

جزء الأسهم: 2988

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 29A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 560 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
APT5024BLLG
Microsemi Corporation

APT5024BLLG

جزء الأسهم: 8192

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
APT14M100B
Microsemi Corporation

APT14M100B

جزء الأسهم: 8971

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
APT56M60B2
Microsemi Corporation

APT56M60B2

جزء الأسهم: 4676

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V,

قائمة الرغبات
APT30M60J
Microsemi Corporation

APT30M60J

جزء الأسهم: 3123

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
APT56M50B2
Microsemi Corporation

APT56M50B2

جزء الأسهم: 5563

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

قائمة الرغبات
APT48M80L
Microsemi Corporation

APT48M80L

جزء الأسهم: 3324

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 49A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات
APT43M60B2
Microsemi Corporation

APT43M60B2

جزء الأسهم: 5860

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
APT30M19JVR
Microsemi Corporation

APT30M19JVR

جزء الأسهم: 1297

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
APT80M60J
Microsemi Corporation

APT80M60J

جزء الأسهم: 1417

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 84A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
APT66M60B2
Microsemi Corporation

APT66M60B2

جزء الأسهم: 3886

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 33A, 10V,

قائمة الرغبات
APT14M120B
Microsemi Corporation

APT14M120B

جزء الأسهم: 5563

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
APT56M50L
Microsemi Corporation

APT56M50L

جزء الأسهم: 5493

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

قائمة الرغبات
APT7M120S
Microsemi Corporation

APT7M120S

جزء الأسهم: 9512

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 Ohm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
APT24M120L
Microsemi Corporation

APT24M120L

جزء الأسهم: 3355

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 680 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
APT56M60L
Microsemi Corporation

APT56M60L

جزء الأسهم: 4735

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V,

قائمة الرغبات
APT66M60L
Microsemi Corporation

APT66M60L

جزء الأسهم: 3956

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 33A, 10V,

قائمة الرغبات
APT30F50B
Microsemi Corporation

APT30F50B

جزء الأسهم: 10349

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
APT30M19JVFR
Microsemi Corporation

APT30M19JVFR

جزء الأسهم: 1191

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
APT84M50L
Microsemi Corporation

APT84M50L

جزء الأسهم: 3479

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 84A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

قائمة الرغبات
APT50M65LFLLG
Microsemi Corporation

APT50M65LFLLG

جزء الأسهم: 2892

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 67A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V,

قائمة الرغبات
APT14F100B
Microsemi Corporation

APT14F100B

جزء الأسهم: 8584

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 980 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
APT34F100L
Microsemi Corporation

APT34F100L

جزء الأسهم: 3500

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
APT28M120L
Microsemi Corporation

APT28M120L

جزء الأسهم: 3013

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 29A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 530 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
APT34F100B2
Microsemi Corporation

APT34F100B2

جزء الأسهم: 3511

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
APT20M22LVFRG
Microsemi Corporation

APT20M22LVFRG

جزء الأسهم: 3601

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات