مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة) | الدوائر المتكاملة (المرحلية) | 60

M4A3-256/128-10SAC

جزء الأسهم: 3383

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

GAL22V10D-10LJNI

جزء الأسهم: 5911

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 10,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

GAL22V10D-10QPN

جزء الأسهم: 1627

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 10,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-10YI

جزء الأسهم: 3229

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-10T176I

جزء الأسهم: 1987

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4128ZC-42T100C

جزء الأسهم: 1585

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.2ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4384C-75T176I

جزء الأسهم: 2518

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-7FAC

جزء الأسهم: 3388

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-75T144C

جزء الأسهم: 1548

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-35T176C

جزء الأسهم: 2795

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-96/48-12VI

جزء الأسهم: 1463

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 96,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC5256MB-5F256C

جزء الأسهم: 2940

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M5-256/160-15YC/1

جزء الأسهم: 4268

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-64/32-10JC

جزء الأسهم: 15945

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-512/256-10SAI

جزء الأسهم: 5453

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

GAL16V8D-25QPNI

جزء الأسهم: 5667

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 25.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4128ZC-75M132C

جزء الأسهم: 1598

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4384B-10F256I

جزء الأسهم: 2249

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/256-10FAI

جزء الأسهم: 3511

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC5256MB-75F256C

جزء الأسهم: 2993

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC51024MC-75F672I

جزء الأسهم: 2851

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 1024,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-7CAC

جزء الأسهم: 3306

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

GAL20V8B-15LPNI

جزء الأسهم: 5768

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4256ZC-75T176E

جزء الأسهم: 2246

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-512/120-20YI

جزء الأسهم: 5351

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-256/128-65YC

جزء الأسهم: 3721

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC5768VG-12F484I

جزء الأسهم: 3139

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 768,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-32/32-5VC48

جزء الأسهم: 3734

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

GAL16V8D-25QJ

جزء الأسهم: 6657

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 25.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

GAL20V8B-15QPN

جزء الأسهم: 5744

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4064V-10T100I

جزء الأسهم: 1079

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75T144C

جزء الأسهم: 2185

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4384B-75FT256C

جزء الأسهم: 1268

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

M5-192/68-15VC/1

جزء الأسهم: 1470

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4512C-75FT256I

جزء الأسهم: 2734

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات

Lattice Semiconductor Corporation

LC4256C-5T176C

جزء الأسهم: 1198

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات