PMIC - بوابات السائقين

IXDI604SIATR

IXDI604SIATR

جزء الأسهم: 89097

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDN604SIATR

IXDN604SIATR

جزء الأسهم: 89089

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IX4424NTR

IX4424NTR

جزء الأسهم: 110719

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDN602SIATR

IXDN602SIATR

جزء الأسهم: 124629

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDF602D2TR

IXDF602D2TR

جزء الأسهم: 124549

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IX4426MTR

IX4426MTR

جزء الأسهم: 171798

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
IX4424MTR

IX4424MTR

جزء الأسهم: 110794

قائمة الرغبات
IXDI602SIATR

IXDI602SIATR

جزء الأسهم: 124587

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDI609SIA

IXDI609SIA

جزء الأسهم: 85978

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IX4427MTR

IX4427MTR

جزء الأسهم: 171780

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
IXDN609PI

IXDN609PI

جزء الأسهم: 85974

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDD604D2TR

IXDD604D2TR

جزء الأسهم: 89120

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDI609PI

IXDI609PI

جزء الأسهم: 85961

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IX4425NTR

IX4425NTR

جزء الأسهم: 110732

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDN609SIATR

IXDN609SIATR

جزء الأسهم: 92266

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IXDF602PI

IXDF602PI

جزء الأسهم: 116310

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IX4424G

IX4424G

جزء الأسهم: 96

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات