الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 1

CPC3902ZTR

جزء الأسهم: 131537

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

جزء الأسهم: 108608

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

جزء الأسهم: 173406

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

جزء الأسهم: 110408

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

جزء الأسهم: 127604

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

جزء الأسهم: 180680

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

جزء الأسهم: 173441

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

جزء الأسهم: 1443

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

جزء الأسهم: 126520

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

جزء الأسهم: 1407

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

جزء الأسهم: 1380

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

جزء الأسهم: 198190

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

جزء الأسهم: 1385

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

جزء الأسهم: 6160

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

جزء الأسهم: 67206

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 415V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): -0.35V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

جزء الأسهم: 335

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 360mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

جزء الأسهم: 103573

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 360mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

جزء الأسهم: 127786

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): -0.35V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

جزء الأسهم: 107138

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): -0.35V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

قائمة الرغبات

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

جزء الأسهم: 185051

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): -0.35V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

قائمة الرغبات