PMIC - بوابات السائقين

IXDI502SIA

جزء الأسهم: 6504

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDD509D1T/R

جزء الأسهم: 7582

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDN514D1T/R

جزء الأسهم: 6693

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,

IX2R11M6

جزء الأسهم: 5840

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

IXA611S3T/R

جزء الأسهم: 5988

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 7V,

IXDN504PI

جزء الأسهم: 6700

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXG611S1T/R

جزء الأسهم: 6782

IXDI402PI

جزء الأسهم: 6382

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDN430YI

جزء الأسهم: 8692

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

IX2C11S1T/R

جزء الأسهم: 5836

IXDI430CI

جزء الأسهم: 6457

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

IXDD504D2T/R

جزء الأسهم: 6205

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDI509D1

جزء الأسهم: 8681

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

IXC611S1

جزء الأسهم: 6037

IXDD514SIA

جزء الأسهم: 6230

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,

IXDD509D1

جزء الأسهم: 6140

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDN402PI

جزء الأسهم: 6584

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXA611P7

جزء الأسهم: 5976

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 7V,

IXDF504SIAT/R

جزء الأسهم: 6422

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDI504D1

جزء الأسهم: 6472

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDI504SIAT/R

جزء الأسهم: 8715

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDI402SIA

جزء الأسهم: 6405

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXG611P1

جزء الأسهم: 6761

IXDI430MCI

جزء الأسهم: 6477

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

IXDD404SIA

جزء الأسهم: 6123

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

IXDI502D1T/R

جزء الأسهم: 5408

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDI502D1

جزء الأسهم: 6501

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IX4R11M6

جزء الأسهم: 5870

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 7V,

IXA531S10T/R

جزء الأسهم: 5934

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDE509SIAT/R

جزء الأسهم: 6296

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

IX2A11P1

جزء الأسهم: 5844

IXE611S1T/R

جزء الأسهم: 6765

IXJ611S1T/R

جزء الأسهم: 6830

IXDI509SIA

جزء الأسهم: 6568

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

IX2B11S7

جزء الأسهم: 8587

IXDN514D1

جزء الأسهم: 6724

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,