| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge |
| نوع القناة | 3-Phase |
| عدد السائقين | 6 |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| الجهد - العرض | 8V ~ 35V |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | 0.8V, 3V |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | 600mA, 600mA |
| نوع الإدخال | Inverting |
| الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | 650V |
| وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 125ns, 50ns |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 48-VFQFN |
| حزمة جهاز المورد | 48-MLP |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
