الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

VMM45-02F

جزء الأسهم: 1939

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 45A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

FMK75-01F

جزء الأسهم: 3528

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

GWM180-004X2-SMD

جزء الأسهم: 3104

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

VKM40-06P1

جزء الأسهم: 1050

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 3mA,

GWM100-0085X1-SMD SAM

جزء الأسهم: 2495

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 85V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 103A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

GWM100-0085X1-SMD

جزء الأسهم: 2946

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 85V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 103A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

GMM3X160-0055X2-SMDSAM

جزء الأسهم: 3108

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VMM300-03F

جزء الأسهم: 404

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 290A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 145A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA,

VMM650-01F

جزء الأسهم: 405

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 680A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 500A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA,

GMM3X160-0055X2-SMD

جزء الأسهم: 3118

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

FMM22-05PF

جزء الأسهم: 4623

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

FMM60-02TF

جزء الأسهم: 5122

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM65-015P

جزء الأسهم: 2720

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 65A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

LKK47-06C5

جزء الأسهم: 2067

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Super Junction, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 47A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

GWM120-0075P3-SMD SAM

جزء الأسهم: 2286

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 118A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

GMM3X60-015X2-SMD

جزء الأسهم: 3720

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM100-01X1-SLSAM

جزء الأسهم: 2795

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM150-0075X2F

جزء الأسهم: 4607

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.8 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

VMM85-02F

جزء الأسهم: 1197

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 84A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

GWM220-004P3-SL SAM

جزء الأسهم: 2944

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VWM270-0075X2

جزء الأسهم: 697

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 270A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA,

FMM22-06PF

جزء الأسهم: 4230

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

GWM160-0055X1-SL

جزء الأسهم: 2919

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM120-0075P3-SL

جزء الأسهم: 2709

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 118A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

FMP76-01T

جزء الأسهم: 227

نوع FET: N and P-Channel, Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 54A (Tc), 62A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA,

FMM50-025TF

جزء الأسهم: 5089

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

VMK90-02T2

جزء الأسهم: 1263

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 83A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA,

FMM75-01F

جزء الأسهم: 4572

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

MKE38P600TLB-TRR

جزء الأسهم: 227

MKE38P600TLB

جزء الأسهم: 267

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc),

VMK165-007T

جزء الأسهم: 1586

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 70V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 165A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 82.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

GWM120-0075P3

جزء الأسهم: 2981

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 118A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

FMP26-02P

جزء الأسهم: 4082

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A, 17A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

GWM180-004X2-SLSAM

جزء الأسهم: 3050

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

FMP76-010T

جزء الأسهم: 5246

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 62A, 54A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

VMM90-09F

جزء الأسهم: 423

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 85A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 76 mOhm @ 65A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA,