| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| ميزة FET | Standard |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 75V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 120A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 5.8 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 10500pF @ 25V |
| أقصى القوة | 170W |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| العبوة / العلبة | ISOPLUSi5-Pak™ |
| حزمة جهاز المورد | ISOPLUS i4-PAC™ |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
