Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IXFP8N50PM
IXYS

IXFP8N50PM

جزء الأسهم: 35507

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ16N50P
IXYS

IXTQ16N50P

جزء الأسهم: 21998

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH50N25T
IXYS

IXTH50N25T

جزء الأسهم: 16412

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTP26P10T
IXYS

IXTP26P10T

جزء الأسهم: 31561

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTP2R4N120P
IXYS

IXTP2R4N120P

جزء الأسهم: 15774

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTY08N120P
IXYS

IXTY08N120P

جزء الأسهم: 26621

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTP42N15T
IXYS

IXTP42N15T

جزء الأسهم: 28394

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXFA6N120P TRL
IXYS

IXFA6N120P TRL

جزء الأسهم: 16463

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTA110N055T7
IXYS

IXTA110N055T7

جزء الأسهم: 34219

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTP8N50PM
IXYS

IXTP8N50PM

جزء الأسهم: 36061

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFA102N15T
IXYS

IXFA102N15T

جزء الأسهم: 19163

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 102A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXFH102N15T
IXYS

IXFH102N15T

جزء الأسهم: 15568

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 102A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH56N15T
IXYS

IXTH56N15T

جزء الأسهم: 25568

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTH72N20T
IXYS

IXTH72N20T

جزء الأسهم: 18178

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 72A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTA44N25T
IXYS

IXTA44N25T

جزء الأسهم: 27003

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 44A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTA160N10T7
IXYS

IXTA160N10T7

جزء الأسهم: 22594

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTU06N120P
IXYS

IXTU06N120P

جزء الأسهم: 21852

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 600mA (Tc),

قائمة الرغبات
IXTQ28N15P
IXYS

IXTQ28N15P

جزء الأسهم: 28317

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide),

قائمة الرغبات
IXTQ48N20T
IXYS

IXTQ48N20T

جزء الأسهم: 24054

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 48A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTP10N60PM
IXYS

IXTP10N60PM

جزء الأسهم: 28029

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 740 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTA2N100P
IXYS

IXTA2N100P

جزء الأسهم: 28391

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTU08N100P
IXYS

IXTU08N100P

جزء الأسهم: 30022

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc),

قائمة الرغبات
IXFP7N80PM
IXYS

IXFP7N80PM

جزء الأسهم: 30336

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTP8N50P
IXYS

IXTP8N50P

جزء الأسهم: 35414

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH102N15T
IXYS

IXTH102N15T

جزء الأسهم: 16203

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 102A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTP27N20T
IXYS

IXTP27N20T

جزء الأسهم: 34955

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTP74N15T
IXYS

IXTP74N15T

جزء الأسهم: 28022

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 74A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTA38N15T
IXYS

IXTA38N15T

جزء الأسهم: 33172

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTP2N100P
IXYS

IXTP2N100P

جزء الأسهم: 30037

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTA90N15T
IXYS

IXTA90N15T

جزء الأسهم: 20696

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ36N20T
IXYS

IXTQ36N20T

جزء الأسهم: 27537

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V,

قائمة الرغبات
IXTH1N100
IXYS

IXTH1N100

جزء الأسهم: 16205

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ90N15T
IXYS

IXTQ90N15T

جزء الأسهم: 18942

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFA130N10T
IXYS

IXFA130N10T

جزء الأسهم: 27805

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTA1N80
IXYS

IXTA1N80

جزء الأسهم: 41682

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 750mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTP90N15T
IXYS

IXTP90N15T

جزء الأسهم: 21369

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V,

قائمة الرغبات