Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IXFH8N80
IXYS

IXFH8N80

جزء الأسهم: 11108

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFH86N30T
IXYS

IXFH86N30T

جزء الأسهم: 10056

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 86A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 43A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTV98N20T
IXYS

IXTV98N20T

جزء الأسهم: 12315

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 98A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTH4N150
IXYS

IXTH4N150

جزء الأسهم: 12178

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFT120N15P
IXYS

IXFT120N15P

جزء الأسهم: 10841

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTT36P10
IXYS

IXTT36P10

جزء الأسهم: 12248

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc),

قائمة الرغبات
IXFH4N100Q
IXYS

IXFH4N100Q

جزء الأسهم: 11104

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ72N30T
IXYS

IXTQ72N30T

جزء الأسهم: 13771

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 72A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTT120N15P
IXYS

IXTT120N15P

جزء الأسهم: 11023

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTT110N10P
IXYS

IXTT110N10P

جزء الأسهم: 12610

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ102N25T
IXYS

IXTQ102N25T

جزء الأسهم: 13714

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 102A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTP3N110
IXYS

IXTP3N110

جزء الأسهم: 11137

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFT4N100Q
IXYS

IXFT4N100Q

جزء الأسهم: 10370

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH72N20
IXYS

IXTH72N20

جزء الأسهم: 8296

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 72A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTY01N100
IXYS

IXTY01N100

جزء الأسهم: 34732

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ120N15T
IXYS

IXTQ120N15T

جزء الأسهم: 15431

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH72N30T
IXYS

IXTH72N30T

جزء الأسهم: 13301

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 72A (Tc),

قائمة الرغبات
IXFH150N17T2
IXYS

IXFH150N17T2

جزء الأسهم: 10652

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 175V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTV102N25T
IXYS

IXTV102N25T

جزء الأسهم: 12241

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 102A (Tc),

قائمة الرغبات
IXFH7N80
IXYS

IXFH7N80

جزء الأسهم: 7016

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFV16N80P
IXYS

IXFV16N80P

جزء الأسهم: 12651

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH36N50P
IXYS

IXTH36N50P

جزء الأسهم: 10717

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH102N25T
IXYS

IXTH102N25T

جزء الأسهم: 13298

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 102A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTT64N25P
IXYS

IXTT64N25P

جزء الأسهم: 13161

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH130N15T
IXYS

IXTH130N15T

جزء الأسهم: 13288

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 65A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFR36N50P
IXYS

IXFR36N50P

جزء الأسهم: 7905

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH6N90A
IXYS

IXTH6N90A

جزء الأسهم: 7733

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ130N15T
IXYS

IXTQ130N15T

جزء الأسهم: 13736

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 65A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTV60N30T
IXYS

IXTV60N30T

جزء الأسهم: 12351

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc),

قائمة الرغبات
IXTH6N90
IXYS

IXTH6N90

جزء الأسهم: 8548

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXFT26N50
IXYS

IXFT26N50

جزء الأسهم: 7336

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
IXFT36N60P
IXYS

IXFT36N60P

جزء الأسهم: 8279

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IXTH75N15
IXYS

IXTH75N15

جزء الأسهم: 8762

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXTQ96N25T
IXYS

IXTQ96N25T

جزء الأسهم: 15426

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 96A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXFA3N80
IXYS

IXFA3N80

جزء الأسهم: 11264

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IXT-1-1N100S1-TR
IXYS

IXT-1-1N100S1-TR

جزء الأسهم: 9254

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Tc),

قائمة الرغبات