Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

ISL6614ACRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614ACRZ-T

جزء الأسهم: 24194

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6594DCRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594DCRZ-T

جزء الأسهم: 43028

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL83204AIBZT
Renesas Electronics America Inc.

ISL83204AIBZT

جزء الأسهم: 27539

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,

قائمة الرغبات
ISL89164FRTAZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89164FRTAZ

جزء الأسهم: 35889

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
EL7222CSZ
Renesas Electronics America Inc.

EL7222CSZ

جزء الأسهم: 28521

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6615AIRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6615AIRZ-T

جزء الأسهم: 34936

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2104FRAANZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.

HIP2104FRAANZ-T7A

جزء الأسهم: 37064

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.63V, 2.06V,

قائمة الرغبات
ISL6622IBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6622IBZ

جزء الأسهم: 25421

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL78420AVEZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL78420AVEZ-T

جزء الأسهم: 33240

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.8V, 4V,

قائمة الرغبات
HIP2101IRZ
Renesas Electronics America Inc.

HIP2101IRZ

جزء الأسهم: 38794

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ISL6622AIRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6622AIRZ-T

جزء الأسهم: 37981

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6609AIBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6609AIBZ-T

جزء الأسهم: 34859

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
HIP2101IBZT7A
Renesas Electronics America Inc.

HIP2101IBZT7A

جزء الأسهم: 25449

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ISL89163FRTBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89163FRTBZ

جزء الأسهم: 35908

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.15V,

قائمة الرغبات
ISL2111ABZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL2111ABZ-T

جزء الأسهم: 33987

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.4V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ICL7667CBAZA
Renesas Electronics America Inc.

ICL7667CBAZA

جزء الأسهم: 27092

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6622IBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6622IBZ-T

جزء الأسهم: 31679

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6608CBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6608CBZ-T

جزء الأسهم: 38785

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL6622CRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6622CRZ-T

جزء الأسهم: 40878

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2100IBZT7A
Renesas Electronics America Inc.

HIP2100IBZT7A

جزء الأسهم: 27885

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4V, 7V,

قائمة الرغبات
ISL6612CBZA-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612CBZA-T

جزء الأسهم: 45218

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2103FRTAAZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.

HIP2103FRTAAZ-T7A

جزء الأسهم: 43617

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.63V, 2.06V,

قائمة الرغبات
EL7457CUZ-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7457CUZ-T13

جزء الأسهم: 29483

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6605IRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6605IRZ

جزء الأسهم: 43961

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6612ACBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612ACBZ

جزء الأسهم: 25163

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6615AIRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6615AIRZ

جزء الأسهم: 31984

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6609ACBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6609ACBZ-T

جزء الأسهم: 38855

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
EL7242CSZ-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7242CSZ-T13

جزء الأسهم: 45511

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6620CRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6620CRZ

جزء الأسهم: 27197

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL89165FRTAZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89165FRTAZ-T

جزء الأسهم: 39277

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
ISL6612CBZA
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612CBZA

جزء الأسهم: 36166

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612BIRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BIRZ

جزء الأسهم: 33365

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7154CSZ-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7154CSZ-T13

جزء الأسهم: 23774

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6613ACRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613ACRZ

جزء الأسهم: 34816

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6700IBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6700IBZ

جزء الأسهم: 27097

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ISL2100AAR3Z-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL2100AAR3Z-T

جزء الأسهم: 44352

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.4V,

قائمة الرغبات