Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

المنطق - ذاكرة FIFOs

72V215L10TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L10TF8

جزء الأسهم: 6075

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات
72V215L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L10PF8

جزء الأسهم: 5856

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات
72V215L10TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L10TF

جزء الأسهم: 4735

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات
72V211L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L20PF8

جزء الأسهم: 9310

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L20PF

جزء الأسهم: 8159

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L20J

جزء الأسهم: 7206

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15PF

جزء الأسهم: 7131

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15PF8

جزء الأسهم: 8087

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15J8

جزء الأسهم: 7592

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L15JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15JI8

جزء الأسهم: 6775

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15J

جزء الأسهم: 6205

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L10PF8

جزء الأسهم: 7082

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L10PF

جزء الأسهم: 6179

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V211L10J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L10J

جزء الأسهم: 5457

حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
72V2113L7-5PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L7-5PF8

جزء الأسهم: 849

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L7-5PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L7-5PF

جزء الأسهم: 745

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L6PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L6PF

جزء الأسهم: 696

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L15PF8

جزء الأسهم: 987

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L6PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L6PF8

جزء الأسهم: 805

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L15PF

جزء الأسهم: 748

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V3650L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3650L6PFG8

جزء الأسهم: 2354

حجم الذاكرة: 72K (2K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,

قائمة الرغبات
72V3650L6BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3650L6BB8

جزء الأسهم: 2416

حجم الذاكرة: 72K (2K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,

قائمة الرغبات
72V2113L10PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PFI

جزء الأسهم: 591

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L10PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PFI8

جزء الأسهم: 862

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PF8

جزء الأسهم: 869

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2113L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PF

جزء الأسهم: 706

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات
72V2111L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L20PF

جزء الأسهم: 804

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2111L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PFI8

جزء الأسهم: 945

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2111L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L20PF8

جزء الأسهم: 994

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2111L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PF8

جزء الأسهم: 987

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2111L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PFI

جزء الأسهم: 729

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2111L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L10PF8

جزء الأسهم: 866

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2111L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L10PF

جزء الأسهم: 730

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2111L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PF

جزء الأسهم: 740

حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,

قائمة الرغبات
72V2105L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L20PF

جزء الأسهم: 750

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,

قائمة الرغبات
72V2105L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L20PF8

جزء الأسهم: 952

حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,

قائمة الرغبات