المنطق - ذاكرة FIFOs | الدوائر المتكاملة (المرحلية) | 80

72V225L15PF8

جزء الأسهم: 5930

حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15PF

جزء الأسهم: 4801

حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15PFI

جزء الأسهم: 4191

حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10TF

جزء الأسهم: 4192

حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10TF8

جزء الأسهم: 5318

حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10PF

جزء الأسهم: 4229

حجم الذاكرة: 18K (1K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L7-5PFI

جزء الأسهم: 3339

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18)(1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L7-5PF8

جزء الأسهم: 4458

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18)(1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L7-5PF

جزء الأسهم: 3428

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18)(1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L6PF8

جزء الأسهم: 4234

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18)(1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20PF8

جزء الأسهم: 8111

حجم الذاكرة: 9K (1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L6PF

جزء الأسهم: 3286

حجم الذاكرة: 9K (512 x 18)(1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20J

جزء الأسهم: 6293

حجم الذاكرة: 9K (1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20PF

جزء الأسهم: 7116

حجم الذاكرة: 9K (1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات

IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20J8

جزء الأسهم: 7569

حجم الذاكرة: 9K (1K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات