PMIC - بوابات السائقين

منزل، بيت
PMIC - بوابات السائقين

Infineon Technologies

IR2183STR

جزء الأسهم: 1098

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR1176S

جزء الأسهم: 899

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 5.25V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2151SPBF

جزء الأسهم: 8947

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2114SSPBF

جزء الأسهم: 11486

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 11.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2213

جزء الأسهم: 263

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2121PBF

جزء الأسهم: 11722

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2151STR

جزء الأسهم: 255

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21834SPBF

جزء الأسهم: 23054

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2113

جزء الأسهم: 9878

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.3V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2117STR

جزء الأسهم: 59

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21834PBF

جزء الأسهم: 21216

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2235S

جزء الأسهم: 324

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IRS2308PBF

جزء الأسهم: 24881

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21271STR

جزء الأسهم: 1003

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2151S

جزء الأسهم: 221

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21531

جزء الأسهم: 313

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21271

جزء الأسهم: 938

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21716S

جزء الأسهم: 373

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 13V ~ 20V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21362STR

جزء الأسهم: 1075

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 11.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR1176STR

جزء الأسهم: 1028

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 5.25V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2155PBF

جزء الأسهم: 2511

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2106S

جزء الأسهم: 9906

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR1176

جزء الأسهم: 944

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 5.25V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2182

جزء الأسهم: 656

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2011STR

جزء الأسهم: 1593

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2214SSPBF

جزء الأسهم: 7891

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 11.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2301

جزء الأسهم: 1403

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2133PBF

جزء الأسهم: 9357

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2154S

جزء الأسهم: 698

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2125S

جزء الأسهم: 81

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 0V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2131S

جزء الأسهم: 131

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IRS2336STRPBF

جزء الأسهم: 23514

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2184

جزء الأسهم: 377

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21531D

جزء الأسهم: 656

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR21014

جزء الأسهم: 379

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات

Infineon Technologies

IR2213PBF

جزء الأسهم: 9778

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

قائمة الرغبات

796

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»