Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

IR22381QPBF
Infineon Technologies

IR22381QPBF

جزء الأسهم: 7789

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 12.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
IRS2128SPBF
Infineon Technologies

IRS2128SPBF

جزء الأسهم: 7226

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2330JTRPBF
Infineon Technologies

IRS2330JTRPBF

جزء الأسهم: 8347

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IRS2123STRPBF
Infineon Technologies

IRS2123STRPBF

جزء الأسهم: 8307

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

قائمة الرغبات
IRS21850SPBF
Infineon Technologies

IRS21850SPBF

جزء الأسهم: 8578

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS26310DJPBF
Infineon Technologies

IRS26310DJPBF

جزء الأسهم: 7686

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21850STRPBF
Infineon Technologies

IRS21850STRPBF

جزء الأسهم: 8625

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21853STRPBF
Infineon Technologies

IRS21853STRPBF

جزء الأسهم: 7565

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 3.5V,

قائمة الرغبات
IRS26072DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS26072DSTRPBF

جزء الأسهم: 8699

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS2607DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2607DSTRPBF

جزء الأسهم: 8305

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IRS2330SPBF
Infineon Technologies

IRS2330SPBF

جزء الأسهم: 8565

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IRS2330DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2330DSTRPBF

جزء الأسهم: 8691

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
TDA21107
Infineon Technologies

TDA21107

جزء الأسهم: 5413

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
IRS2332DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2332DSTRPBF

جزء الأسهم: 8765

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IR21141SSPBF
Infineon Technologies

IR21141SSPBF

جزء الأسهم: 8752

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 11.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
IRS2609DSPBF
Infineon Technologies

IRS2609DSPBF

جزء الأسهم: 8234

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IRS2124SPBF
Infineon Technologies

IRS2124SPBF

جزء الأسهم: 8677

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

قائمة الرغبات
IRS21962STRPBF
Infineon Technologies

IRS21962STRPBF

جزء الأسهم: 8713

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 3.5V,

قائمة الرغبات
IRS21171STRPBF
Infineon Technologies

IRS21171STRPBF

جزء الأسهم: 8318

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR21362PBF
Infineon Technologies

IR21362PBF

جزء الأسهم: 7678

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 11.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

قائمة الرغبات
IRS210614STRPBF
Infineon Technologies

IRS210614STRPBF

جزء الأسهم: 8646

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS21281SPBF
Infineon Technologies

IRS21281SPBF

جزء الأسهم: 7665

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
TDA21106
Infineon Technologies

TDA21106

جزء الأسهم: 8547

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
IRS21956STRPBF
Infineon Technologies

IRS21956STRPBF

جزء الأسهم: 8702

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

قائمة الرغبات
IRS2609DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2609DSTRPBF

جزء الأسهم: 8777

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
IRS21858STRPBF
Infineon Technologies

IRS21858STRPBF

جزء الأسهم: 8674

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

قائمة الرغبات
IRS21853SPBF
Infineon Technologies

IRS21853SPBF

جزء الأسهم: 7688

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 3.5V,

قائمة الرغبات
IRS21171SPBF
Infineon Technologies

IRS21171SPBF

جزء الأسهم: 8620

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR3519STRPBF
Infineon Technologies

IR3519STRPBF

جزء الأسهم: 8652

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.5V ~ 7.5V,

قائمة الرغبات
IRS21814MPBF
Infineon Technologies

IRS21814MPBF

جزء الأسهم: 9211

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IRS210614SPBF
Infineon Technologies

IRS210614SPBF

جزء الأسهم: 8541

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
IR11662SPBF
Infineon Technologies

IR11662SPBF

جزء الأسهم: 8590

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 11.4V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2V, 2.15V,

قائمة الرغبات
IR2235JTRPBF
Infineon Technologies

IR2235JTRPBF

جزء الأسهم: 8441

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
IR4428S
Infineon Technologies

IR4428S

جزء الأسهم: 430

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IR21844PBF
Infineon Technologies

IR21844PBF

جزء الأسهم: 21119

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات
IR4426S
Infineon Technologies

IR4426S

جزء الأسهم: 440

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

قائمة الرغبات